Nuevo y original Irf1010npbf Transistor de efecto de campo de potencia en línea Irf1010n

Descripción del producto Resistencia de encendido ultrabaja Clasificación dv/dt dinámica Temperatura de funcionamiento d

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Descripción

Información básica

N º de Modelo.	IRF1010N
Estructura de encapsulación	Transistor de microprocesador
Nivel de potencia	Alto Voltaje
Material	Silicio
Número de producto	Irf520npbf
Descripción	Mosfet N-CH 100V 9.7A To220
Categoría	Mosfet
Producto	Irf520
Paquete de transporte	/
Especificación	/
Marca comercial	CHN
Origen	Chn

Descripción del Producto

Resistencia de encendido ultrabaja Clasificación dinámica dv/dt Temperatura de funcionamiento de 175 °C Conmutación rápida Completamente clasificado para avalanchas

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