Transistor de efecto de campo Mosfet Irfb4229 Irfb4229pbf

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Descripción

N º de Modelo.	IRFB4229PBF
Estructura	plano
Estructura de encapsulación	Transistor de microprocesador
Nivel de potencia	Alto Voltaje
Material	Silicio
Polaridad/Tipo de canal	Canal N
Número de producto	irfb4229pbf
Condición	Nuevo y Original
Envío por	DHL\UPS\FedEx\EMS\HK Postdhl\UPS\FedEx\EMS\HK Post
Categoría	transistores
Tecnología	Mosfet
Paquete de transporte	Tubo
Especificación	hierro y plastico
Origen	Chn

Atributos del producto

Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	46A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	46mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	5V @ 250µA
Vgs (Máx.)	±30V
Función FET	-
Disipación de energía (máx.)	330W (Tc)

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